[반도체] 가즈아 삼성! 또 최초! - HKMG DDR5 개발

전력소모 13% 낮추고 성능은 2배 빨라져

 

25일, 하이케이메탈게이트(HKMG) 공정 적용하여 512GB DDR5 D램 개발 완료

 

HKMG 공정은 누설전류 막기위해 유전상수(k)가 높은 물질 적용한 공정으로 전력소모 13%감소

 

DDR5 D램 기반 고용량 모듈은 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능에 응용될 것

 

DDR5 D램 범용 제품에 8단 TSV 기술도 적용

 

DDR5 : 최대 8200 Mbps 제공가능, DDR4 대비 2배 이상 빠른 속도, 1초에 UHD 영화 2편(약 30 GB) 전송 가능

 

삼성전자 DDR5 인포그래픽. (사진=삼성전자)

 

 

삼성, 업계 최초 HKMG 공정 기반 DDR5 D램 개발 성공