반도체
[반도체] 가즈아 삼성! 또 최초! - HKMG DDR5 개발
12학번.
2021. 3. 25. 17:57
전력소모 13% 낮추고 성능은 2배 빨라져
25일, 하이케이메탈게이트(HKMG) 공정 적용하여 512GB DDR5 D램 개발 완료
HKMG 공정은 누설전류 막기위해 유전상수(k)가 높은 물질 적용한 공정으로 전력소모 13%감소
DDR5 D램 기반 고용량 모듈은 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능에 응용될 것
DDR5 D램 범용 제품에 8단 TSV 기술도 적용
DDR5 : 최대 8200 Mbps 제공가능, DDR4 대비 2배 이상 빠른 속도, 1초에 UHD 영화 2편(약 30 GB) 전송 가능
